長飛先進半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶光谷
(資料圖片僅供參考)
據(jù)中國光谷官微，8月25日，武漢市東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議書。長飛先進第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目總投資預(yù)計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。
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